半导体二极管.docx

1、半导体二极管一、半导体材料从导电性能上看，物质材料可分为三大类：导体： 电阻率 108 cm半导体：电阻率介于前两者之间。目前制造半导体器件的材料用得最多的有：硅和锗两种二、本征半导体、本征激发及杂质半导体1、本征半导体没有杂质和缺陷的半导体单晶，叫做本征半导体。2、本征激发当温度升高时， 电子吸收能量摆脱共价键而形成一对电子和空穴的过程， 称为本征激发。3、杂质半导体在本征半导体中掺入微量的杂质， 就会使半导体的导电性能发生显著的变化。 因掺入杂质不同，杂质半导体可分为空穴（P）型半导体和电子（N）型半导体两大类。1）P 型半导体在本征半导体中掺入少量的三价元素杂质就形成 P 型半导体， P

2、 型半导体的多数载流子是空穴，少数载流子是电子。2）N 型半导体在本征半导体中掺入少量的五价元素杂质就形成 N 型半导体。 N 型半导体的多数载流子是电子，少数载流子是空穴。三、半导体二极管的工作原理半导体二极管为一个由 P 型半导体和 N 型半导体形成的 P-N 结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于 P-N 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时， 外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时， 外界电场和自建电场进一步加强， 形成在一定反向电压

3、范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流 I0。当外加的反向电压高到一定程度时，P-N 结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。四、半导体二极管的类型1）按照所用的半导体材料，可分为锗二极管（Ge 管）和硅二极管（Si 管） 、砷化镓二极管。 它们的正向导通电压 （P-N 结电压） 差别较大， 锗管为 0.20.3V， 硅管为 0.60.7V。锗二极管的反向饱和漏电流比硅二极管大， 锗管一般为十到几百微安， 而硅管在 1 微安以下。锗管耐高温性能远远不如硅管，锗管最高承受温度不超过 100，而硅管可高达 2

4、00。2）根据其不同用途，可分普通二极管和特殊二极管。普通二极管可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、恒流二极管、开关二极管、限幅用二极管、调制用二极管、混频用二极管、放大用二极管、频率倍增用二极管、PIN 型二极管、雪崩二极管、江崎二极管、快速关断（阶跃恢复）二极管、肖特基二极管、阻尼二极管、瞬变电压抑制二极管、双基极二极管等。特殊二极管包括变容二极管、发光二极管、隧道二极管、触发二极管、光电二极管、磁敏二极管、激光二极管等。3）按照管芯结构，可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。点接触型二极管是用一根很细的金属丝压在光洁的半导体晶片表面， 通以脉冲电流， 使触丝一端与晶片

5、牢固地烧结在一起，形成一个“P-N 结” 。由于是点接触，只允许通过较小的电流（不超过几十毫安） ，适用于高频小电流电路，如收音机的检波等。面接触型二极管的“P-N 结”面积较大，允许通过较大的电流（几安到几十安） ，主要用于把交流电变换成直流电的“整流”电路中。平面型二极管是一种特制的硅二极管，它不仅能通过较大的电流，而且性能稳定可靠，多用于开关、脉冲及高频电路中。4）根据构造分类 可分为点接触型二极管、键型二极管、合金型二极管、扩散型二极管、台面型二极管、平面型二极管、合金扩散型二极管、外延型二极管、肖特基二极管。5）根据特性分类点接触型二极管，按正向和反向特性分类有：一般用点接触型二极管

6、、高反向耐压点接触型二极管、高反向电阻点接触型二极管、高传导点接触型二极管。五、半导体二极管的导电特性二极管最重要的特性就是单方向导电性。在电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出。1.正向特性在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式，称为正向偏置。必须说明，当加在二极管两端的正向电压很小时，二极管仍然不能导通，流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电压达到某一数值（这一数值称为“门槛电压” ，锗管约为 0.2V，硅管约为 0.6V）以后，二极管才能直正导通。导通后二极管两端的电压基本上保持不变 （锗管约为 0.3V， 硅管约为 0.7V） ， 称为二极管的 “正向压降” 。2.反向特性在电子电路中，二极管的正极接在低电位端，负极接在高电位端，此时二极管中几乎没有电流流过，此时二极管处于截止状态，这种连接方式，称为反向偏置。二极管处于反向偏置时，仍然会有微弱的反向电流流过二极管，称为漏电流。当二极管两端的反向电压增大到某一数值，反向电流会急剧增大，二极管将失去单方向导电特性，这种状态称为二极管的击穿。六、半导体二极管的主要参数用来表