1、1、电接口设计中，反射衰减通常在高频情况下变差，这是因为带损耗的传输线反射同频率相关，这种情况下，尽量缩短 PCB 走线就显得异常重要。2、稳压二极管就是一种稳定电路工作电压的二极管，由于特殊的内部结构特点，适用反向击穿的工作状态，只要限制电流的大小，这种击穿是非破坏性的。3、PN 结具有一种很好的数学模型：开关模型二极管诞生了再来一个 PN 结，三极管诞生了。4、高频电路中，必须考虑 PN 结电容的影响（正向偏置为扩散电容，反相偏置为势垒电容）。5、在高密度的场合下，由于收发信号挨在一起，很容易发生串扰，这在布线时要遵守 3W原则，即相邻 PCB 走线的中心线间距要大于 PCB 线宽的 3
2、倍。在插卡设备，接插件连接的位置，要有许多接地针，提供良好的射频回路。6、双极型管是电流控制器件，通过基极较小的电流控制较大的集电极电流；MOS 管是电压控制器件，通过栅极电压控制源漏间导通电阻。7、三极管是靠载流子的运动来工作的，以 npn 管射极跟随器为例，当基极加不加电压时，基区和发射区组成的 pn 结为阻止多子（基区为空穴，发射区为电子）的扩散运动，在此 pn结处会感应出由发射区指向基区的静电场（即内建电场）。8、肖特基二极管（Schottky,SBD）适用于高频开关电路，正向压降和反相压降都很低（0.2V）但是反向击穿电压较低，漏电流也较大。9、抖动特性绝大部分取决于输出芯片的特性，
3、不过，如果 PCB 布线不当，电源滤波不够充分，时钟参考源太冲太大也会增加抖动成分。信号线的匹配对抖动产生直接的影响。特别是芯片中含有倍频功能，本身相位噪声较大。10、极型选择是指 BJT 是用 PNP 还是 NPN 管，这应该在确定电源形式时同时考虑。有些三极管的外壳与某个电极相连，对于硅管来说往往是集电极。在需要某极接地时应考虑这个因素。图片11、场效应晶体管与 BJT 在工作过程中有很大的区别：BJT 中的电荷载体是空穴或被击出的少量的“少子”，FET 中的电荷则是数目相对多几个数量级的自由电子，“多子”。12、发射极正偏，集电极反偏是让 BJT 工作在放大工作状态下的前提条件。三种连接
4、方式：共基极，共发射极（最多，因为电流，电压，功率均可以放大），共集电极。判别三种组态的方法：共发射极，由基极输入，集电极输出；共集电极，由基极输入，发射极输出；共基极，由发射极输入，集电极输出。13、三极管主要参数：电流放大系数，极间反向电流，（集电极最大允许电流，集电极最大允许耗散功率，反向击穿电压=3 个重要极限参数决定 BJT 工作在安全区域）。14、因 J-FET 的 Rgs 很高，在使用时首先应注意无静电操作，否则很容易发生栅极击穿；另外就是在设计电路时应仔细考虑各极限参数，不能超出范围。将 J-FET 当做可变电阻使用时应保证器件有正确的偏置，不能使之进入恒流区。15、射极偏置电
5、路：用于消除温度对静态工作点的影响（双电源更好）。16、三种 BJT 放大电路比较：共射级放大电路，电流、电压均可以放大。共集电极放大电路：只放大电流，跟随电压，输入 R 大，输出 R 小，用作输入级，输出级。共基极放大电路：只放大电压，跟随电流，高频特性好。17、去耦电容：输出信号电容接地，滤掉信号的高频杂波。旁路电容：输入信号电容接地，滤掉信号的高频杂波。交流信号针对这两种电容处理为短路。18、MOS-FET 在使用中除了正确选择参数以及正确的计算外，最值得强调的仍然是防静电操作问题，在电路调试、焊接、安装过程中，一定要严格按照防静电程序操作。19、主流是从发射极到集电极的 IC，偏流就是
6、从发射极到基极的 Ib。相对与主电路而言，为基极提供电流的电路就是所谓的偏置电路。20、场效应管三个铝电极：栅极 g，源极 s，漏极 d。分别对应三极管的基极 b，发射极 e，集电极 c。其中 P 型衬底一般与栅极 g 相连。21、增强型 FET 必须依靠栅源电压 Vgs 才能起作用（开启电压 Vt），耗尽型 FET 则不需要栅源电压，在正的 Vds 作用下，就有较大的漏极电流流向源极（如果加负的 Vgs，那么可能出现夹断，此时的电压成为夹断电压 Vp*重要特性*：可以在正负的栅源电压下工作）22、N 沟道的 MOS 管需要正的 Vds（相当于三极管加在集电极的 Vcc）和正的 Vt（相当于三极管基极和发射极的 Vbe），而 P 沟道的 MOS 管需要负的 Vds 和负的 Vt。23、VMOSFET 有高输入阻抗、低驱动电流；开关速度快、高频特性好；负电流温度系数、无热恶性循环，热稳定型优良的优点。24、运算放大器应用时，一般应用负反馈电流。25、差分式放大电路：差模信号：两输入信号之差。共模信号：两输入信号之和除以 2。由此：用差模与共模的定义表示两输入信号可得到一个重要的数学模型：
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