1、高纯镓化学分析方法 第3部分:痕量杂质元素含量的测定 辉光放电质谱法YST38.3-2023讲解了适用于99.9999%(6N)及以上纯度等级高纯镓中多种痕量杂质元素的定量检测技术路径,系统规定了辉光放电质谱法(GD-MS)在该材料体系中的仪器设备要求、样品制备规范、校准方法、测量条件设定、数据采集与处理流程、不确定度评定原则及质量控制措施。该标准明确了可测定的典型杂质元素范围,包括但不限于Al、Si、Ca、Fe、Cu、Zn、Cd、Pb、Mg、Na、K、Cr、Mn、Ni、Co、Ti、V、Mo、W、B、P、S、Cl、As、Se、Te、In、Tl等三十多个元素,检出限普遍达到1012 g/g(pg
2、/g)量级,具备极高的灵敏度与多元素同步分析能力。标准强调固体导电样品直接进样分析的特点,避免了传统湿法消解引入的污染与损失风险,突出了方法的专属性、准确性和抗干扰能力。全文以技术实操为导向,对辉光放电源参数(如功率、气压、溅射时间)、质谱分辨率选择、同位素选择策略、基体匹配校准与内标校正方式均作出具体限定,并给出了典型谱图示例、异常信号识别要点及重复性与再现性验收指标。标准还明确了实验室需满足的环境温湿度控制、超净操作条件、参考物质使用要求以及人员资质建议,构成一套完整、可验证、可推广的高纯金属痕量杂质分析技术规范。高纯镓化学分析方法 第3部分:痕量杂质元素含量的测定 辉光放电质谱法YST38.3-2023适用于半导体材料、红外光学器件、LED外延衬底及新一代化合物半导体(如GaN、GaAs)制造领域中从事高纯镓原料质量控制、工艺验证与产品认证的技术人员;适用于第三方检测机构、国家级有色金属质检中心、高校及科研院所中开展高纯金属杂质谱研究与方法开发的分析化学专业人员;同时适用于镓生产企业的品控实验室、新材料研发部门及参与GB/T、YS系列标准制修订工作的标准化技术委员会专家。该标准亦可为其他超高纯金属(如锗、铟、砷等)痕量分析方法的建立提供技术类比与参数迁移参考,尤其适用于对亚ppt级杂质敏感、需规避溶液引入误差的关键功能材料分析场景。