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硅舟TZZB 3947-2025.docx

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上传人:建筑师 文档编号:423426 上传时间:2026-04-17 格式:DOCX 页数:13 大小:380.72KB
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资源描述

1、硅舟TZZB 3947-2025讲解了面向半导体制造关键辅材硅舟的团体标准全要素技术规范,系统规定了产品分类、基本要求、技术要求、试验方法、检验规则及质量承诺等核心内容;硅舟TZZB 3947-2025描述了适用于直径150 mm至350 mm硅单晶与硅多晶加工场景的拼接式与熔接式硅舟的技术门槛与质量基准,明确了其在氧化、扩散、退火及化学气相沉积(CVD)工艺中承载硅片的功能定位;标准从严限定原材料成分控制,包括氧/碳含量、基体金属杂质总量及晶体缺陷状态,并对硅单晶与硅多晶分别提出差异化限值;标准强化制造过程管控,要求具备全生命周期设计能力、三维建模仿真验证能力及自动化加工检测装备配置能力,生

2、产环境须满足温湿度稳定性和百级洁净度;技术指标涵盖外观无划伤裂纹、几何尺寸公差(内/外径0.25 mm、高度1.0 mm)、形位公差(平面度0.1 mm、平行度0.1 mm、垂直度1.0 mm)、表面粗糙度(沟齿面1.6 m、其余面3.2 m)及表面金属杂质(Na、Fe、Cu等八种元素均设上限,单位E10 atoms/cm);附录A还规范了平面度、平行度、垂直度和表面粗糙度的实测方法,配套引用GB/T 29505、GB/T 39145、ICP-MS等先进检测标准与设备要求,体现出高精度、低污染、强适配、可验证的半导体级辅材标准特征。硅舟TZZB 3947-2025适用于半导体材料制造企业、集成电路前道工艺装备配套厂商、硅片加工服务供应商、高温工艺耗材研发生产商及洁净环境精密陶瓷/硅基结构件制造商;适用于从事150 mm350 mm规格硅单晶或硅多晶晶圆制程中氧化炉、扩散炉、退火炉及CVD反应腔体内承载结构设计、生产、检验与采购的相关技术人员、质量工程师、工艺工程师、供应链管理人员及标准化专员;亦适用于第三方检测机构、认证审核机构及地方市场监管部门在开展硅舟产品质量监督抽查、绿色产品评价或“浙江制造”标准符合性验证时的技术依据参考。该标准聚焦国产替代与高端制程适配需求,对提升国内硅舟产品的批次一致性、洁净稳定性与热机械可靠性具有直接指导意义。

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