铸造熔炼用碳化硅TCFA 02020501042-2023.pdf

1、T/CFA 02020501042-2023 代替 T/CFA 0202050104.2-2016 中 国 铸 造 协 会 发 布 团体标准 铸造熔炼用碳化硅 Silicon carbide for smelting of casting 20230301 发布 20230601 实施 ICS 25.100.70 CCS J 31 T/CFA 02020501042-2023 I 目 次 前言 1 范围 1 2 规范性引用文件 1 3 术语与定义 1 4 技术要求 2 5 试验方法 2 6 检验规则 3 7 标志、包装、贮存、运输及质量保证书 4 附录 A（资料性）铸造熔炼用碳化硅试样制备要求

2、 5 表 1 铸造熔炼用碳化硅理化指标 2 表 2 铸造熔炼用碳化硅粒度表 3 T/CFA 02020501042-2023 II 前 言 本文件按照 GB/T 1.1-2020标准化工作导则 第 1 部分：标准化文件的结构和起草规则和GB/T 20001.10-2014标准编写规则 第 10 部分：产品标准的规定起草编制。本文件代替T/CFA 0202050104-2-2016铸造熔炼用碳化硅 技术条件。与T/CFA 0202050104-2-2016相比，主要技术内容变化如下：修改标准的名称，原标准使用的名称为铸造熔炼用碳化硅 技术条件不合适，改用铸造熔炼用碳化硅。前言中的标准依据改为 G

3、B/T 1.1-2020；增加 80 牌号用于冲天炉；增加 98 牌号，碳化硅含量标准大于 97%；原标准中 5.1.4 的水分检测方法改为“样品加热至 105 5损失的水分”；修改碳化硅检验标准，采用采用 GB/T 16555。请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。本文件由中国铸造协会汽车铸件分会提出。本文件由中国铸造协会归口。本文件起草单位：中国一汽铸造研究所、扬州九海铸造科技有限公司、天津宇野国际贸易有限公司、天津华勘检验测试有限公司、潍柴动力股份有限公司、青岛九鼎铸冶材料有限公司。本文件主要起草人：高如康、王东旭、王腾龙、刘淑香、姚旭、赵红宝、张永青

4、、李 冰、揭兰图、于晓龙、唐宏伟。本文件历次版本发布情况为：2016 年 11 月 8 日为首次发布；本次为第一次修订。T/CFA 02020501042-2023 1 铸造熔炼用碳化硅 1 范围 本文件规定了铸造熔炼用碳化硅（以下简称：碳化硅）的技术要求，试验方法，检验规则，标志、包装、贮存、运输及质量保证书。本文件适用于铸造熔炼采用的碳化硅。2 规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。GB/T 2007.6-1987 散装矿产品取样、

5、制样通则 水分测定方法热干燥法 GB/T 2684 铸造用原砂及混合料试验方法 GB/T 5611 铸造术语 GB/T 8170 数值修约规则与极限数值的表示和判定 GB/T 16555 含碳、碳化硅、氮化物耐火材料化学分析方法 3 术语与定义 GB/T 5611 界定的和下列术语和定义适用于本文件。3.1 碳化硅 silicon carbide 由硅和碳元素以共价键结合的非金属碳化物，化学分子式为SiC，分子量为 40.0962，碳含量 29.955%，硅含量 70.045%，注：本文件所述为工业碳化硅，也称人工合成碳化硅；人工合成碳化硅又叫金刚砂。3.2 游离碳 free carbon 碳

6、化硅产品生产过程中未与硅结合的碳。3.3 游离硅 free silicon 碳化硅生产过程中未与碳结合的单质硅。3.4 水分 moisture content 水碳化硅生产完成后，用水冷却残留在碳化硅中的外在水分。4 技术要求 T/CFA 02020501042-2023 2 4.1 理化指标 碳化硅按照含量分为：SiC 80、SiC 90、SiC 95、SiC 98 四个牌号，理化指标要求见表 1。表 1 铸造熔炼用碳化硅理化指标 单位为质量百分数，%牌号 SiC 游离碳 游离硅 SiO2 Al2O3 水份 Fe2O3 其他（CaO、MgO）SiC 80 7588 7.0 1.0 8.0 4.5 0.5 3.0 3.0 SiC 90 8892 4,0 1.0 3.0 2.5 0.5 2.0 1.0 SiC 95 9297 3.5 1.0 2.5 2.0 0.5 2.0 0.5 SiC 98 97 0.5 1.0 1.5 0.15 0.5 1.0 0.5 注：1.SiC 80 适用于冲天炉熔炼。2.因碳化硅原材料的差异，可含有的氮含量暂不在本文件中规定。4.2 粒度 4.2.1 碳化硅