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石墨烯薄膜电子迁移率的测定TGDASE 0010-2020.pdf

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石墨烯薄膜电子迁移率的测定TGDASE 0010-2020.pdf

石墨烯薄膜电子迁移率的测定讲解了有关石墨烯薄膜的霍尔系数、电子浓度、电子迁移率以及电阻率等关键物理量的测定方法，详细规定了适用二维石墨烯薄膜样本以及其他类似二维导电薄膜的相关测量标准。文档从范围出发，界定了其涵盖的具体测量项目与对象，并列举了一些重要的规范性引用文件以确保术语和技术定义统一性和准确性。对于核心的测量原理阐述中，文件具体描述了四个重要的方面，霍尔系数测量原理强调磁场下洛伦兹力和霍尔电场下的电场力平衡；通过特定公式解释了如何依据霍尔系数计算出电子浓度；对范德堡法的应用进行了详细介绍，明确了在正方形样品上测定电阻率的方法；并给出了电子迁移率与霍尔系数间的换算关系。关于试验设备部分，列出了实验所需的仪器类型及其具体性能参数要求，比如游标卡尺、真空干燥箱、数字万用表及具备特殊功能条件的霍尔效应测定仪。最后在具体的实验步骤方面，提到了样品预处理的必要准备工作。石墨烯薄膜电子迁移率的测定适用于从事新材料研究、特别是专注于石墨烯及相关二维材料电子特性分析的研究人员和机构。此文件为那些需要了解石墨烯电子行为特征的科技工作者提供了一份详尽的技术指南，确保实验室之间具有可重复性、准确性的数据测量成果，有助于加速石墨烯从基础研究到实际应用的转化过程，促进电子行业创新和发展。