元器件抗辐射性能评估指南DB31T1648-2025.pdf

1、元器件抗辐射性能评估指南DB31T1648-2025讲解了空间飞行器用电子元器件在复杂空间辐射环境下抗辐射性能的系统性评估方法与技术路径。该指南明确了从元器件选型、辐射敏感性分析、基于数据和试验的性能评估，到试验结果应用及抗辐射加固设计的完整流程。文件指出，在元器件选用阶段应优先选择具有抗辐射指标或已有宇航飞行经历的产品，对于无明确抗辐射能力的器件，则建议选择可提供故障分析服务或内部结构清晰的型号。针对不同类型的辐射效应，指南将元器件分为敏感类与免疫类，其中半导体集成电路、分立器件、光电器件等被识别为辐射敏感器件，并在附录中提供了详细的敏感性分类参考。评估方法包括基于历史飞行数据的分析和基于地

2、面模拟试验的数据分析，特别强调了电离总剂量效应、单粒子效应和位移损伤效应三类主要空间辐射效应的评估要点。在数据分析过程中，需重点考虑批次差异、工艺版图变化、测试参数覆盖范围、偏置条件匹配度以及功能失效与参数失效的区分。当现有数据不足以支撑选用决策时，应依据GJB、QJ等标准开展地面辐照试验，并制定科学的试验方案，利用模拟装置进行真实环境还原。试验过程要求全程记录参数变化及异常情况，最终形成包含明确结论的试验报告。若评估结果显示元器件不满足任务需求，则需启动抗辐射加固设计，包括通过增加屏蔽层来缓解总剂量影响，或采用电路级、系统级手段抑制单粒子效应和位移损伤效应。整个评估体系形成了“选用分析试验应

3、用加固”的闭环逻辑，提升了宇航电子系统的可靠性与安全性。元器件抗辐射性能评估指南DB31T1648-2025适用于从事航天工程、卫星制造、运载火箭研发、深空探测等领域的科研单位和技术企业，尤其适用于承担宇航级电子系统设计与集成的工程师、元器件筛选与可靠性评估技术人员、空间环境适应性验证实验室人员。同时，该指南对民用高可靠电子设备开发中涉及辐射环境应对的设计团队也具有重要参考价值，特别是在微电子器件选型、地面模拟试验规划、抗辐射加固方案制定等方面提供标准化指导。此外，高等院校和研究机构在开展空间电子学、辐射效应机理研究及相关教学实践时，亦可将其作为技术规范依据。本文件不仅服务于上海地区航天产业发展需求，也为全国范围内提升宇航元器件自主可控能力和空间任务成功率提供了关键技术支撑。