基于EMMI定位的GaN_HEMT耐正向可靠性研究_白霖.pdf

基于EMMI定位的GaN_HEMT耐正向可靠性研究讲解了氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）在高温栅偏压（HTGB）应力下出现的势垒退化现象及其对射频工作稳定性的影响。文章通过使用微光显微镜（EMMI）作为主要研究工具，探讨了不同电偏置条件下器件EMMI发光的分布和形成机理，并对比了HTGB试验前后EMMI发光图像的变化。研究发现，HTGB后器件在反偏电场下出现了明显新增的EMMI亮点，这些亮点通过微区分析被定位到栅下的外延位错对应的局部烧毁点。研究表明，延伸至栅下的外延位错会构成漏电通道，对HTGB下的退化和失效存在贡献。这一研究为理解GaN HEMT器件在高温条件下的可靠性问题提供了重要依据，并为进一步优化器件设计和工艺提供了指导。基于EMMI定位的GaN_HEMT耐正向可靠性研究适用于从事第三代半导体材料研究、特别是专注于氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）开发与应用的科研人员和技术工程师。该文不仅对雷达、航空航天、通信基站等微波领域的专业人士有参考价值，也适用于关注半导体器件可靠性和长期性能的制造业企业。通过对HTGB应力下器件退化机制的研究，该文档能够帮助相关人员更好地理解GaN HEMT器件的工作原理及其潜在的失效模式，从而为提高器件的稳定性和使用寿命提供理论支持和技术方案。