你正在下载：《

基于EMMI定位的GaN_HEMT耐正向可靠性研究_白霖.pdf

》 [预览]

格式：PDF ，页数：6 ，大小：975.25KB ,
资源ID：255829 下载积分：10 金币免费下载

快捷下载

登录下载

邮箱/手机：
温馨提示：	快捷下载时，用户名和密码都是您填写的邮箱或者手机号，方便查询和重复下载（系统自动生成）。如填写123，账号就是123，密码也是123。
特别说明：	请自助下载，系统不会自动发送文件的哦；如果您已付费，想二次下载，请登录后访问：我的下载记录
支付方式：
验证码：	换一换

加入VIP,免费下载

温馨提示：由于个人手机设置不同，如果发现不能下载，请复制以下地址【https://www.aqrzj.com/docdown/255829.html】到电脑端继续下载（重复下载不扣费）。

已注册用户请登录：

账号：
密码：
验证码：	换一换
当日自动登录忘记密码？

三方登录：

1: 本站所有资源如无特殊说明，都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。
2: 试题试卷类文档，如果标题没有明确说明有答案则都视为没有答案，请知晓。
3: 文件的所有权益归上传用户所有。
4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
5. 本站仅提供交流平台，并不能对任何下载内容负责。
6. 下载文件中如有侵权或不适当内容，请与我们联系，我们立即纠正。
7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

本文（基于EMMI定位的GaN_HEMT耐正向可靠性研究_白霖.pdf）为本站会员（爱知识的人）主动上传，安全人之家仅提供信息存储空间，仅对用户上传内容的表现方式做保护处理，对上载内容本身不做任何修改或编辑。若此文所含内容侵犯了您的版权或隐私，请立即通知安全人之家（发送邮件至316976779@qq.com或直接QQ联系客服），我们立即给予删除！

基于EMMI定位的GaN_HEMT耐正向可靠性研究_白霖.pdf

基于EMMI定位的GaN_HEMT耐正向可靠性研究讲解了氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）在高温栅偏压（HTGB）应力下出现的势垒退化现象及其对射频工作稳定性的影响。文章通过使用微光显微镜（EMMI）作为主要研究工具，探讨了不同电偏置条件下器件EMMI发光的分布和形成机理，并对比了HTGB试验前后EMMI发光图像的变化。研究发现，HTGB后器件在反偏电场下出现了明显新增的EMMI亮点，这些亮点通过微区分析被定位到栅下的外延位错对应的局部烧毁点。研究表明，延伸至栅下的外延位错会构成漏电通道，对HTGB下的退化和失效存在贡献。这一研究为理解GaN HEMT器件在高温条件下的可靠性问题提供了重要依据，并为进一步优化器件设计和工艺提供了指导。基于EMMI定位的GaN_HEMT耐正向可靠性研究适用于从事第三代半导体材料研究、特别是专注于氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）开发与应用的科研人员和技术工程师。该文不仅对雷达、航空航天、通信基站等微波领域的专业人士有参考价值，也适用于关注半导体器件可靠性和长期性能的制造业企业。通过对HTGB应力下器件退化机制的研究，该文档能够帮助相关人员更好地理解GaN HEMT器件的工作原理及其潜在的失效模式，从而为提高器件的稳定性和使用寿命提供理论支持和技术方案。