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PVD镀膜知识问答题含答案.docx

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上传人:小魏子好文库 文档编号:320714 上传时间:2024-03-23 格式:DOCX 页数:8 大小:61.73KB
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资源描述

1、1.PVD 镀膜含义?答:PVD(Physical Vapor Deposition)物理气相沉积技术:表示在真空条件下,采用物理方法,将材料源-固体或液体表面气化成气体原子、分子或部分电离成离子,并通过低压气体(或等离子体)过程,在基体表面沉积具有特殊功能薄膜的技术.2.PVD 技术都有那些分类?答:PVD(物理气相沉积)技术主要分为三类,真空蒸发、溅射、离子镀(空心阴极离子镀、热阴极离子镀、电弧离子镀、活性反应离子镀、射频离子镀、直流放电离子镀)。3.PVD 镀膜的具体原理是什么?答:物理气相沉积是一种物理气相反应生长法,沉积过程是在真空或低气气体放电条件下,涂层物质源是固态物质,经过蒸发

2、或溅射后,在零件表面生成与基材性能完全不同的新的固态物质涂层.4.PVD 镀膜与传统的化学电镀相比有何优点?答:PVD 镀膜与传统的化学电镀的相同点是,两者都属于表面处理的范畴,都是通过一定的方式使一种材料覆盖在另一种材料的表面.两者的不同点是:PVD 镀膜膜层与工件表面的结合力更大,膜层的硬度更高,耐磨性和耐腐蚀性更好,膜层的性能也更稳定;PVD 镀膜可以镀的膜层的种类更为广泛,可以镀出的各种膜层的颜色也更多更漂亮;PVD镀膜不会产生有毒或有污染的物质.5.氮化钛(TiN)的功用为何?答:当作扩散阻障层(diffusion barrier layer),阻障铝与氧化硅之间的扩散.当作粘着层(

3、glue layer),钨与氧化硅附着力不好,在二者之间加入氮化钛可以增加彼此的粘着力当作反反射层(ARC layer),为了在微影技术制程中为达到高的分辨率,所以需一层抗反射层镀膜以减少来自铝的高反射率.6.采用 PVD 镀膜技术镀出的膜层有什么特点?答:采用 PVD 镀膜技术镀出的膜层,具有高硬度、高耐磨性(低摩擦系数)、很好的耐腐蚀性和化学稳定性等特点,膜层的寿命更长;同时膜层能够大幅度提高工件的外观装饰性能.7.请问 PVD 能镀在什么基材上?答:PVD 膜层能直接镀在不锈钢、硬质合金上、钛合金、陶瓷等表面,对锌合金、铜、铁等压铸件应先进行化学电镀铬,然后才适合镀 PVD.8.请问 P

4、VD 镀膜能够镀出的膜层种类有那些?答:PVD 镀膜技术是一种能够真正获得微米级镀层且无污染的环保型表面处理方法,它能够制备各种单一金属膜(如铝、钛、锆、铬等)、氮化物膜(TiN钛金、ZrN 锆金、CrN、TiAlN)和碳化物膜(TiC、TiCN),以及氧化物膜(如 TiO 等).9.请问 PVD 镀膜膜层的厚度是多少?答:PVD 镀膜膜层的厚度为微米级,厚度较薄,一般为 0.1m5m,其中装饰镀膜膜层的厚度一般为 0.1m2m,因此可以在几乎不影响工件原来尺寸的情况下提高工件表面的各种物理性能和化学性能,并能够维持工件尺寸基本不变,镀后不须再加工.10.请问 PVD 镀膜能够镀出的膜层的颜色

5、有哪些?答:我们目前能够做出的膜层的颜色有深金黄色,浅金黄色,咖啡色,古铜色,灰色,黑色,灰黑色,七彩色,蓝色,紫色,红色,绿色等.通过控制镀膜过程中的相关参数,可以控制镀出的颜色;镀膜结束后可以用相关的仪器对颜色值进行测量,使颜色得以量化,以确定所镀出的颜色是否满足要求.11.为何铝靶材需要添加少量的铜?答:电流在铝金属层移动时,铝原子会沿着晶粒界面而移动,若此现象太过剧裂,会导致金属线断路,添加少量的铜可以防止铝线断线.12.PVD 镀膜的用途?答:将固体表面涂覆一层特殊性能的薄膜,从而使固体表面具有耐磨损、耐高温、耐腐蚀、抗氧化、防辐射、导电、导磁、绝缘和装饰等许多优于固体材料本身的优越

6、性能,达到提高产品质量、延长产品寿命、节约能源和获得显着技术经济效益的作用.各个领域已经得到广泛应用,如航空、航天、电子、信息、机械、石油、化工、环保、军事等领域.13.在 PVD 工艺中可以得到那几种金属膜?答:铝(AL),钛(Ti),氮化钛(TiN),钴(Co).一般 wafer进入 PVD机台,必须镀上钛/氮化钛/铝/钛/氮化钛.五层金属.钴的功用为金属硅化物.14.Target(靶材)是什么?答:在 PVD 中,靶材是用来提供镀膜(film)的金属材料。15.PVD制程原理为何?答:在 Target 与 wafer 间加之高电位差,此时制程气体 Ar 在高位差下解离成Ar+,又因 Ar+带正电被电场吸引而撞向 Target,使 target 产生金属晶粒因重力作用而掉落至 wafer 形成 film。此种工艺是 PVD。16.半导体中一般金属导线材质为何?答:钨线(W)/铝线(Al)/铜线(Cu)。17.在 PVD 工艺中可以得到那几种金属膜?答:铝(Al),钛(Ti),氮化钛(TiN),钴(Co)。一般 wafer 进入 PVD 机台,必须镀上 钛/氮化钛/铝/钛/氮化钛 五

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