1、中频炉中频炉可控硅经常烧毁损坏原因诊断及分析可控硅经常烧毁损坏原因诊断及分析1、中频炉中频炉逆变可控硅水冷套内断水或散热效果下降逆变可控硅水冷套内断水或散热效果下降更换水冷更换水冷套。有时观察水冷套的出水量和压力是足够的，但经常由于水质套。有时观察水冷套的出水量和压力是足够的，但经常由于水质问题，在水冷套的壁上附着一层水垢，由于水垢是一种导热性级问题，在水冷套的壁上附着一层水垢，由于水垢是一种导热性级差的物体，虽然有足够的水流量流过，但因为水垢的隔离是其散差的物体，虽然有足够的水流量流过，但因为水垢的隔离是其散热效果大大降低。其判断方法是：将功率运行在较低于该过流值热效果大大降低。其判断方法是
2、：将功率运行在较低于该过流值的功率下约十分钟，迅速停机，停机后迅速用手触摸可控硅元件的功率下约十分钟，迅速停机，停机后迅速用手触摸可控硅元件的芯部，若感觉到烫手，则该故障是由此原因引起的。的芯部，若感觉到烫手，则该故障是由此原因引起的。2、槽路连接导线有接触不良和断线情况、槽路连接导线有接触不良和断线情况检查槽路连接导线检查槽路连接导线，根据实际情况酌情处理。当槽路连接导线有接触不良或断线情况根据实际情况酌情处理。当槽路连接导线有接触不良或断线情况时时，功率升到一定值后会产生打火现象功率升到一定值后会产生打火现象，影响了设备的正常工作影响了设备的正常工作，从而导致设备保护动作。有时因打火时会在
3、可控硅两端产生瞬时从而导致设备保护动作。有时因打火时会在可控硅两端产生瞬时过电压，如果过压保护动作来不及，会烧坏可控硅元件。该现象过电压，如果过压保护动作来不及，会烧坏可控硅元件。该现象经常会出现过电压、过电流同时动作。经常会出现过电压、过电流同时动作。3、负载对地绝缘降低负载对地绝缘降低负载回路的绝缘降低负载回路的绝缘降低，引起负载对地间引起负载对地间打火，干扰了脉冲的触发时间或在可控硅两端形成高压，烧坏可打火，干扰了脉冲的触发时间或在可控硅两端形成高压，烧坏可控硅元件。控硅元件。4、中频炉中频炉可控硅在反相关断时，承受反向电压的瞬时毛刺电压可控硅在反相关断时，承受反向电压的瞬时毛刺电压过高
4、过高在中频电源的主电路中，瞬时反相毛刺电压是靠阻容吸在中频电源的主电路中，瞬时反相毛刺电压是靠阻容吸收来吸收的。如果吸收电路中电阻、电容开路均会使瞬时反相毛收来吸收的。如果吸收电路中电阻、电容开路均会使瞬时反相毛刺电压过高烧坏可控硅。在断电的情况下用万秀表测量吸收电阻刺电压过高烧坏可控硅。在断电的情况下用万秀表测量吸收电阻阻值、吸收电容容量，判断是否阻容吸收回路出现故障。阻值、吸收电容容量，判断是否阻容吸收回路出现故障。5、脉冲触发回路故障、脉冲触发回路故障在设备运行时如果突然丢失触发脉冲在设备运行时如果突然丢失触发脉冲，将造成逆变开路，中频电源输出端产生高压，烧坏可控硅元件。将造成逆变开路，
5、中频电源输出端产生高压，烧坏可控硅元件。这种故障一般是逆变脉冲形成、输出电路故障，可用示波器进行这种故障一般是逆变脉冲形成、输出电路故障，可用示波器进行检查，也可能是逆变脉冲引线接触不良，可用手摇晃导线接头，检查，也可能是逆变脉冲引线接触不良，可用手摇晃导线接头，找出故障位置。找出故障位置。6、设备在运行时负载开路设备在运行时负载开路当设备正在大功率运行时当设备正在大功率运行时，如果突如果突然负载处于开路状态，将在输出端形成高压烧坏可控硅元件。然负载处于开路状态，将在输出端形成高压烧坏可控硅元件。7、设备在运行时负载短路设备在运行时负载短路当设备在大功率运行时当设备在大功率运行时，如果负载如果
6、负载突然处于短路状态，将对可控硅有一个很大的短路电流冲击，若突然处于短路状态，将对可控硅有一个很大的短路电流冲击，若过电流保护动作不不及保护，将烧坏可控硅元件。过电流保护动作不不及保护，将烧坏可控硅元件。8、保护系统故障保护系统故障（保护失灵保护失灵）可控硅能否安全可控硅能否安全，主要是告保主要是告保护系统来保证的，如果保护系统出现故障，设备稍有一点工作不护系统来保证的，如果保护系统出现故障，设备稍有一点工作不正常，将危机到可控硅安全。所以，当可控硅烧坏时对保护系统正常，将危机到可控硅安全。所以，当可控硅烧坏时对保护系统的检查是必不可少的。的检查是必不可少的。9、可控硅冷却系统故障可控硅冷却系统故障可控硅在工作时发热量很大可控硅在工作时发热量很大，需要对需要对其冷却才能保证正常工作，一般可控硅的冷却有两种方式：一种其冷却才能保证正常工作，一般可控硅的冷却有两种方式：一种是水冷，另一种是风冷。水冷的应用较为广泛，风冷一般只用是水冷，另一种是风冷。水冷的应用较为广泛，风冷一般只用于于100KW 以下的电源设备以下的电源设备。通常采用水冷方式的中频设备均设有通常采用水冷方式的中频设备均设有水
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