1、ICS 13.040.40CCS Z 05团体标准T/CIECCPA 0072024半导体工业氮氧化物排放要求Semiconductor Industry Nitrogen Oxide Emission Requirements20240304 发布20240308 实施中 国 工 业 节 能 与 清 洁 生 产 协 会发 布T/CIECCPA 0072024I目次前言.II1范围.12规范性引用文件.13术语和定义.14氮氧化物排放限值.25氮氧化物排放限值要求适用范围.26氮氧化物检测要求.3附录 A 单一排气筒的排放速率计算方法.4附录 B 氮氧化物推荐处理方案.5附录 C 现行地方氮氧
2、化物排放限值与监测标准.7图 B.1 氧化还原吸收法流程图.5图 B.2 碱液吸收法流程图.6表 1 氮氧化物排放限值.2表 2 氮氧化物污染物浓度测定方法标准.3表 C.1 现行地方氮氧化物排放限值.7表 C.2 现行地方氮氧化物监测标准.7T/CIECCPA 0072024II前言本文件按照GB/T 1.1-2020 标准化工作导则 第1部分：标准化文件的结构和起草规则的规定起草。请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。本文件由中国工业节能与清洁生产协会提出并归口。本文件主要起草单位：浙江芯科半导体有限公司、杭州慧翔电液技术开发有限公司、上海兄弟微电子技术
3、有限公司、大连华邦化学有限公司、东莞南方半导体科技有限公司、苏州艾特斯环保设备有限公司、上海协和环境设备有限公司。本文件主要起草人：李京波、王小周、张梦龙、刘黎明、张瀛、周礼誉、高嵩、杨荣博、钱昊、韩理想、袁松、王琨强、汪禹、邓向辉、阳志超、乔良、周阳、李双、王浩清、张坤。T/CIECCPA 00720241半导体工业氮氧化物排放要求1范围本文件规定了半导体行业工业生产过程中产生的大气污染物氮氧化物排放标准限值、检测要求、达标判定的要求。本文件适用于半导体工业氮氧化物排放。2规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的，下列文件所包含的条文，凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的
4、修改单）适用于本标准。GB 3095 环境空气质量标准GB 16297 大气污染物综合排放标准HJ/T 42 固定污染源排气中氮氧化物的测定紫外分光光度法HJ/T 43 固定污染源排气中氮氧化物的测定盐酸萘乙二胺分光光度法HJ/T 55 大气污染物无组织排放检测技术导则HJ/T 193 环境空气质量自动检测技术规范HJ/T 194 环境空气质量手工检测技术规范HJ/T 397 固定源废气检测技术规范HJ 675 固定污染源排气 氮氧化物的测定 酸碱滴定法HJ 692 固定污染源废气 氮氧化物的测定 非分散红外吸收法HJ 693 固定污染源废气 氮氧化物的测定 定电位电解法HJ 1132 固定污
5、染源废气 氮氧化物的测定 便携式紫外吸收法污染源自动监控管理办法（国家环境保护总局令 第 28 号）环境监测管理办法（国家环境保护总局令 第 39 号）3术语和定义下列术语与定义适用于本文件。3.1半导体企业 Semiconductor industry从事半导体分立器件或集成电路的制造、封装测试的企业。3.2标准状态 Standard condition指温度为273.15K、压力为101 325 Pa 时的状态。本标准规定的大气污染物排放浓度限值均以标准状态下的干气体为基准。3.3大气污染物 Atmospheric pollutant指由于人类活动或自然过程排入大气的对人和环境产生有害影响
6、的物质。3.4氮氧化物 Nitrogen oxidesT/CIECCPA 00720242指的是只由氮、氧两种元素组成的化合物，包括一氧化二氮（N2O）、一氧化氮（NO）、二氧化氮（NO2）、三氧化二氮（N2O3）、四氧化二氮（N2O4）和五氧化二氮（N2O5）等。3.5排气筒高度 Stack height指自排气筒(或其主体建筑构造)所在的地平面至排气筒出口计的高度。3.6最高允许排放速率 Maximum allowable emission rate指一定高度的排气筒任何1小时排放污染物的质量不得超过的限值。4氮氧化物排放限值4.1 为控制半导体企业氮氧化物排放，制定了下表 1 的氮氧化物排放限值。表1 氮氧化物排放限值氮氧化物(NOx)排放限值年平均浓度限值(mg/m3)最高允许排放速率(kg/h)排气筒a500.47b燃烧装置1501.5ca)：单一排气筒的排放速率计算方法见附录A。b)：基于大气污染物综合排放标准（GB 16297-1996）的排气筒最高允许排放速率。c)：基于环境空气质量标准（GB3095-2012）中氮氧化物的一小时平均浓度Cm=0.25 mg/m3，结合
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