碳化硅单晶中痕量杂质元素含量的测定 辉光放电质谱法YST1600-2023.pdf

1、碳化硅单晶中痕量杂质元素含量的测定 辉光放电质谱法YST1600-2023讲解了采用辉光放电质谱（GD-MS）技术对碳化硅（SiC）单晶材料中多种痕量杂质元素进行定性与定量分析的标准化方法，涵盖了方法原理、仪器设备要求、样品制备规范、校准策略、测量程序、数据处理及不确定度评定等关键技术环节。该标准明确了适用于硼、铝、钛、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、锌、镓、锆、铌、钼、镉、铟、锡、钽、钨、铅等不少于21种元素的检测，检出限可达106至109 g/g量级，满足宽动态范围和高灵敏度要求。标准强调样品表面洁净度控制、溅射稳定性验证、同位素干扰校正、基体匹配校准及多点标准曲线拟合等操作细节，并规定了重复

2、性限与再现性限的评估方式。同时，标准对实验室能力验证、质量控制样品使用、空白本底监控及结果报告格式作出统一要求，确保不同实验室间检测数据的可比性与可靠性，为碳化硅单晶材料在半导体器件制造中的纯度管控提供权威、可执行的技术依据。碳化硅单晶中痕量杂质元素含量的测定 辉光放电质谱法YST1600-2023适用于半导体材料研发与生产企业、第三方检测机构、高校及科研院所中从事宽禁带半导体材料（特别是碳化硅单晶）成分分析、质量控制与工艺优化的技术人员；也适用于从事高纯材料标准制定、检验检测资质认定（如CMA、CNAS）评审的技术专家及质量管理人员；此外，该标准还可作为集成电路用衬底材料供应商开展供应链质量审核、进口替代材料验证及新产品型式检验的重要参考依据，覆盖第三代半导体产业链上游晶体生长、中游晶圆加工及下游器件制造全环节对超高纯度控制的核心需求。