活性金属钎焊（AMB）陶瓷基板TCI 918-2025.pdf

1、活性金属钎焊（AMB）陶瓷基板TCI 918-2025讲解了电子封装用活性金属钎焊陶瓷基板的标准化技术体系，涵盖其分类、材料组成、结构形式及全生命周期质量管控要求。该标准明确了通孔型与常规型两类AMB基板的定义与适用场景，系统规定了原材料（如氮化硅、氮化铝、氧化锆增韧氧化铝等陶瓷基片及无氧铜箔）的成分与性能边界，细化了外观（无裂纹、毛刺、破损、表面花纹异常等）、尺寸（长宽厚公差、翘曲度、孔位精度）、微观结构（晶粒尺寸、覆铜烧结空洞率）及功能特性（击穿强度15 kV/mm、电路区域绝缘耐压、铜箔剥离强度12 N/mm、冷热循环1000次无分层、高温耐温达250持续2000 h不失效）等共16项核

2、心性能指标。标准同步配套完整检测方法体系，覆盖宏观检验（目视/光学显微）、几何量测量（三坐标/激光测厚）、电学与力学测试（引线键合强度、岛间漏电流、可焊性润湿角30）、环境适应性验证（冷热冲击、高温贮存）及表面洁净度控制（离子污染0.78 g/cm NaCl当量）。文件还确立了鉴定检验与质量一致性检验的抽样方案、判定准则及失效处理机制，并对包装防护等级、标识信息要素（含批次号、材料类型、尺寸规格、执行标准编号）、运输防震要求及温湿度受控贮存条件（温度35、相对湿度60%）作出强制性规定。活性金属钎焊（AMB）陶瓷基板TCI 918-2025适用于半导体功率模块、新能源汽车电驱系统、轨道交通牵引变流器、工业变频器及智能电网电力电子装置等高可靠性场景中从事AMB陶瓷基板研发、生产、检测与应用的技术人员；覆盖陶瓷基片制造商、金属化加工企业、功率器件封测厂、模块集成商及第三方检测认证机构；同时适用于高等院校、科研院所开展电子封装材料界面冶金机理研究、工艺稳定性评价及国产替代验证工作。该标准为IGBT、SiC MOSFET、GaN HEMT等高温、高频、高功率器件所依赖的关键基板提供了统一技术语言与准入门槛，支撑我国高端功率半导体产业链在自主可控前提下实现制造精度、长期可靠性和批次一致性的系统提升。