高纯铟化学分析方法 第1部分：痕量杂质元素含量的测定 辉光放电质谱法YST981.1-2024.docx

1、高纯铟化学分析方法 第1部分：痕量杂质元素含量的测定 辉光放电质谱法 YS/T 981.1-2024讲解了采用辉光放电质谱法（GD-MS）对高纯铟中73种痕量杂质元素进行定性与定量分析的技术规范，覆盖锂、铍、硼、氟、钠、镁、铝等轻元素至铱、铂、铼、锇、钽、钨等难熔和贵金属元素，测定范围广达0.001 g/g至10 g/g，显著扩展了2014版标准所涵盖的14种元素。高纯铟化学分析方法 第1部分：痕量杂质元素含量的测定 辉光放电质谱法 YS/T 981.1-2024描述了该方法的适用范围、原理、试验条件、试剂与材料要求、仪器设备配置、样品制备规格、详细操作步骤、数据处理方式及精密度评估指标，明确

2、删除原标准中的质量保证与控制章节，强化方法的可操作性与结果可比性。标准依据GB/T 1.12020起草，由全国有色金属标准化技术委员会与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会共同归口，体现了对高纯铟在半导体、红外探测、光伏及高端合金等前沿领域应用所提出的更高纯度控制需求，反映了我国稀散金属检测技术向高灵敏度、多元素、低检出限方向的实质性跃升。高纯铟化学分析方法 第1部分：痕量杂质元素含量的测定 辉光放电质谱法 YS/T 981.1-2024适用于从事高纯铟研发、生产、质量检验与第三方检测的科研院所、有色金属冶炼企业、半导体材料制造商、靶材及电子专用化学品供应商，以及承担国家/行业抽检任务的质检机构与标准化实验室。特别适用于需对铟基材料中痕量杂质（尤其是影响载流子寿命、晶格完整性及器件可靠性的B、P、As、Sb、Te、Cu、Fe、Ni、Cr等关键干扰元素）实施精准监控的场景，如化合物半导体（InP、InSb、InGaAs）前驱体纯化验证、高纯铟靶材认证、特种低熔点合金成分仲裁、以及新材料研制阶段的杂质谱系表征。该标准亦为高校材料分析、冶金物理化学及仪器分析课程提供权威技术参考，支撑高端电子材料国产化替代进程中“测得准、控得住、溯得清”的核心能力建设。