碳化硅外延片表面缺陷的测试 激光散射法GBT42902-2023.pdf

碳化硅外延片表面缺陷的测试 激光散射法讲解了碳化硅外延片在电子材料领域中检测与评估的具体手段和技术规范。该标准依据GBT42902-2023，聚焦激光散射法的应用原理，阐述通过发射特定频率的激光束至样本表面，并收集反射或散射光信号来确定碳化硅外延片表面特性及其可能存在的各种形态和尺寸的微观缺陷。它对实验设备的构成组件提出了要求，并介绍仪器的操作环境，以保障测量准确性和稳定性。从样品制备方面详细列出为进行有效测试所需的准备工作，保证样品平整度、清洁度等条件，确保数据可靠。针对具体的数据处理过程，文档强调根据接收到的散射光强度信息与预设算法结合实现表面特征的数字化解析，从而对微小颗粒、划痕及其他表面缺陷做出精确定量描述。此外，还制定了有关于测试报告生成与结果解释的一套标准化流程，使得检测活动具有重复可操作性。碳化硅外延片表面缺陷的测试 激光散射法适用于参与高性能半导体研发生产环节的技术人员，特别是从事宽禁带半导体制造的企业工程师以及相关科研机构的研究者。这份技术指南为确保先进碳化硅器件的质量提供了重要的测试方法，使从业人员能够在新产品设计阶段即融入高质量品控意识，在加工制造时监控工艺水平，并为产品推向市场后的故障分析提供理论和技术支撑。这对于推进功率电子器件产业向高效率、低成本方向发展至关重要。