硅单晶中碳、氧含量的测定 低温傅立叶变换红外光谱法GBT35306-2023.pdf

硅单晶中碳、氧含量的测定 低温傅立叶变换红外光谱法GBT35306-2023讲解了硅单晶中的杂质元素碳和氧含量测量的专业方法，通过使用低温傅立叶变换红外光谱技术来进行。该标准提供了精确测量硅单晶内部微量成分的具体过程，强调了从样品准备到最终读数分析的整个操作流程。文档详述了在低于特定温度条件下执行实验以增强红外吸收信号强度，进而准确检测低浓度杂质。文中涵盖了对所需仪器与设备的要求、详细的测试步骤说明以及数据处理的方法。并且深入讨论了校准曲线建立方式，确保测量值可追溯性和准确性，同时指出了不同实验室环境下可能存在的干扰因素及其应对措施，为实现统一化和规范化的检测提供全面指导。硅单晶中碳、氧含量的测定 低温傅立叶变换红外光谱法GBT35306-2023适用于涉及半导体材料研究的企业和个人，包括从事光伏产业、电子元器件制造及相关科研机构。该标准主要为工程师和技术人员设计开发高效硅单晶生长工艺时提供可靠参考，也适用于质检部门监督硅片质量或第三方检测机构进行认证服务时遵循的技术准则。其目的是确保这些行业内相关人员能够依据统一的国际国家标准来评估材料性能，保障产品质量的一致性。