1、ICS27.160 CCSF12团体标准T/CPIA 0055.12024晶体硅光伏电池第 1 部分：n 型隧穿氧化钝化接触光伏电池Crystalline silicon photovoltaic cellsPart 1:n-type photovoltaiccells with tunnel oxide passivating contacts2024-03-10 发布2024-03-15 实施中国光伏行业协会发 布T/CPIA 0055.12024I目次前言.III1范围.12规范性引用文件.13术语和定义.14 技术要求.14.1外观.14.2尺寸.24.3力学性能.24.4电性能.24
2、.5可靠性.34.6电致发光图像.35试验方法.35.1外观.35.2尺寸.45.3翘曲度.45.4电极抗拉强度试验.45.5电性能参数.45.6温度系数.45.7最大功率（Pmax）初始光致衰减.45.8双面率.45.9热循环试验.45.10光热衰减试验.55.11电致发光.56检验规则.56.1检验分类.56.2型式试验.56.3出厂检验.56.4检验项目.57标志、包装、储存和运输.67.1标志.67.2包装.67.3储存.67.4运输.6T/CPIA 0055.12024III前言本文件按照GB/T 1.12020标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则的规定起草。本文件是T
3、/CPIA 0055晶体硅光伏电池的第1部分。T/CPIA 0055已经发布了以下部分：第 1 部分：n 型隧穿氧化钝化接触光伏电池；第 2 部分：异质结光伏电池。请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。本文件由中国光伏行业协会标准化技术委员会提出。本文件由中国光伏行业协会标准化技术委员会归口。本文件起草单位：泰州中来光电科技有限公司、中国电子技术标准化研究院、通威太阳能（成都）有限公司、北京鉴衡认证中心有限公司、中国国检测试控股集团股份有限公司、无锡尚德太阳能电力有限公司、英利能源发展有限公司、苏州中来光伏新材股份有限公司、青海黄河上游水电开发有限责任公司西
4、安太阳能电力分公司、江苏顺风新能源科技有限公司、天合光能股份有限公司、正泰新能科技股份有限公司、晶澳太阳能科技股份有限公司、晶科能源有限公司。本文件主要起草人：张曼、乔振聪、潘飞、陈晓达、王赶强、周罡、高丹妮、黄海涛、刘莉丽、张付特、唐兰兰、姜倩、徐春、杜文星、马玉超、何大娟、张昕宇、周润姮。T/CPIA 0055.120241晶体硅光伏电池第 1 部分：n 型隧穿氧化钝化接触光伏电池1范围本文件规定了n型隧穿氧化钝化接触光伏电池（以下简称“电池”）的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、储存和运输。本文件适用于n型隧穿氧化钝化接触光伏电池的生产与检验。其他类似结构的光伏电池可参照使用。2
5、规范性引用文件下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。GB/T 2297太阳光伏能源系统术语GB/T 2828.12012计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划GB/T 291952012地面用晶体硅太阳电池总规范GB/T 30869太阳能电池用硅片厚度及总厚度变化测试方法SJ/T 116302016太阳能电池用硅片几何尺寸测试方法T/CPIA 00202020晶体硅光伏电池电致发光测试方法T/CPIA 00412022
6、晶体硅光伏电池热辅助光致衰减测试方法IEC 60891晶体硅光伏器件的I-V实测特性的温度和辐照度修正方法（Photovoltaic devicesProcedures for temperature and irradiance corrections to measured I-V characteristics）IEC 60904-1光伏器件第1部分：光伏电流-电压特性的测量（Photovoltaic devicesPart 1:Measurement of photovoltaic current-voltage characteristics）IEC 63202-1光伏电池第1部分：晶体硅光伏电池的光诱导衰减的测试（Photovoltaic cellsPart 1:Measurement of light-induced degradation of crystalline silicon photovoltaic cells）IEC TS 63202-3光伏电池第3部分：双面光伏电池电流-电压特性的测量（Photovoltaic cellsPart 3:Measuremen
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