1、ICS27.160CCSH82团体标准T/CPIA 00602024铸造单晶硅材料性能评价技术规范Technical specification for performance evaluation of CASTmonocrystalline silicon2024-03-10 发布2024-03-15 实施中国光伏行业协会发 布T/CPIA 00602024I目次前言.III1范围.12规范性引用文件.13术语和定义.14技术要求.14.1外观质量.14.2电学性能.14.3间隙氧含量和代位碳含量.14.4位错缺陷.24.5单晶面积比例.25检验方法.25.1外观质量.25.2电学性能的检
2、验.25.3间隙氧含量和代位碳含量的检验.25.4位错缺陷的检验.25.5单晶面积比例的检验.26检验规则.26.1检查.26.2组批.26.3检验项目.26.4取样规则.26.5结果判定.3T/CPIA 00602024III前言本文件按照GB/T 1.12020标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则的规定起草。请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。本文件中国光伏行业协会标准化技术委员会提出。本文件由中国光伏行业协会标准化技术委员会归口。本文件起草单位：江苏协鑫硅材料科技发展有限公司、无锡市检验检测认证研究院、江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
3、、金阳硅业（徐州）有限公司、苏州阿特斯阳光电力科技有限公司、英利能源发展有限公司、浙江大学、浙大宁波理工学院、国信认证无锡有限公司、宁夏国信检研科技有限公司、新余赛维铸晶技术有限公司、普德光伏技术（苏州）有限公司。本文件主要起草人：汪晨、张华利、陈红荣、吴晓丽、何亮、杨振帮、胡动力、吴希哲、吴坚、潘明翠、原帅、章金兵、钦卫国、王炳楠、李建敏、蒋建平。T/CPIA 006020241铸造单晶硅材料性能评价技术规范1范围本文件规定了铸造单晶硅材料的术语和定义、技术要求、检验方法、检验规则。本文件适用于铸造单晶硅锭开方后的硅块的性能评价。2规范性引用文件下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文
4、件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。GB/T 1550非本征半导体材料导电类型测试方法GB/T 15512021硅单晶电阻率的测定直排四探针法和直流两探针法GB/T 15572018硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法GB/T 15582009硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法GB/T 2297太阳光伏能源系统术语GB/T 2828.12012计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划GB/T 14264半导体材料术语GB/T 260682018硅片和硅锭载流子复合
5、寿命的测试非接触微波反射光电导衰减法GB/T 290542019太阳能电池用铸造多晶硅块3术语和定义GB/T 2297和GB/T 14264界定的以及下列术语和定义适用于本文件。3.1铸造单晶硅Casting monocrystalline silicon引入单晶籽晶，以定向凝固法生长形成的单晶硅。4技术要求4.1外观质量4.1.1硅块应无目视可见的裂纹、崩边、缺口。4.1.2硅块磨面后的红外探伤检测结果应无微晶、无阴影、无夹杂，每个硅块应测量 4 个侧面。4.1.3硅块侧面的表面粗糙度 Ra 应不大于 0.2 m。4.1.4硅块的垂直度应为 900.15。4.2电学性能4.2.1硅块导电类型
6、为 P/N 型。4.2.2P 型硅块电阻率为 0.5 cm1.5 cm，N 型硅块电阻率 0.3 cm7 cm。4.2.3P 型硅块尾部载流子寿命应不小于 1.2s，头部载流子寿命应不小于 3 s，N 型硅块载流子寿命应不小于 5 s。4.3间隙氧含量和代位碳含量间隙氧含量应不大于4.01017atoms/cm；代位碳含量应不大于5.01017atoms/cm。T/CPIA 0060202424.4位错缺陷硅块的任一横截面的光致发光（PL）测试图像上显示的位错缺陷面积比例应不大于横截面积的4.5%。4.5单晶面积比例铸造单晶硅片的单晶面积比例为：I类100%，99%II类100%，90%III类99%。小于90%为不合格品。5检验方法5.1外观质量5.1.1硅块的红外探伤检验按 GB/T 290542019，4.11 的规定进行。5.1.2硅块侧面的表面粗糙度检验使用表面粗糙度仪。5.1.3硅块侧面的垂直度检验使用万能角度尺或相应精度的量具。5.2电学性能的检验5.2.1导电类型的检验按 GB/T 1550 的规定进行。5.2.2电阻率的检验按 GB/T 15512021 的规定进行。
安全达人 