1、ICS27.160CCSL95团体标准T/CPIA 00592024晶体硅光伏电池用低压化学气相淀积设备Low pressure chemical vapor deposition equipment used for crystallinesilicon photovoltaic cells2024-03-10 发布2024-03-15 实施中国光伏行业协会发 布T/CPIA 00592024I目次前言.III1范围.12规范性引用文件.13术语和定义.14工作环境.25技术要求.25.1外观及结构要求.25.2基本性能.25.3工艺运行自动化控制.35.4安全要求.35.5可靠性.35.6
2、噪声.35.7电磁兼容性.36检验方法.36.1检验设备及仪器.36.2外观及结构检查.46.3基本性能检测.46.4工艺运行自动化控制检验.66.5安全要求检测.66.6可靠性检测.66.7噪声检测.66.8电磁兼容性检测.67交付检验.68标志、包装、搬运和运输、贮存.78.1标志.78.2包装.88.3搬运和运输.88.4储存.8T/CPIA 00592024III前言本文件按照GB/T 1.12020标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则的规定起草。请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。本文件由中国光伏行业协会标准化技术委员会提出。本文件
3、由中国光伏行业协会标准化技术委员会归口。本文件起草单位：深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司、无锡市检验检测认证研究院、中国电子技术标准化研究院、北京北方华创微电子装备有限公司、湖南红太阳光电科技有限公司、江苏协鑫硅材料科技发展有限公司、嘉兴阿特斯技术研究院有限公司、一道新能源科技股份有限公司、正泰新能科技有限公司、晶澳太阳能科技有限公司、英利能源发展有限公司、常州大学（江苏省光伏科学与工程协同创新中心）、扬州大学、国信认证无锡有限公司、宁夏国信检研科技有限公司。本文件主要起草人：罗伟斌、张勇、恽旻、吴晓丽、王赶强、孙朋涛、吴志明、王晨光、杨宝立、苏磊、李硕、章康平、甘曌、王建勃、马红娜、袁宁
4、一、李绿洲、钦卫国、王炳楠。T/CPIA 005920241晶体硅光伏电池用低压化学气相淀积设备1范围本文件规定了晶体硅光伏电池用低压化学气相淀积设备（以下简称“LPCVD设备”）的术语和定义、工作环境、技术要求、基本性能、检验方法、交付检验以及标志、包装、搬运和运输、贮存。本文件适用于晶体硅光伏电池用管式LPCVD设备的生产及检验。其他类型LPCVD设备可参考使用。LPCVD设备可进行隧穿氧化层、本征多晶硅（Poly-Si）层、原位掺杂多晶硅（Poly-Si）层等的工艺制备。2规范性引用文件下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的
5、版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。GB/T 191包装储运图示标志GB/T 2297太阳光伏能源系统术语GB 28942008安全标志及其使用导则GB/T 5080.7设备可靠性试验恒定失效率假设下的失效率与平均无故障时间的验证试验方案GB/T 5226.12019机械电气安全机械电气设备第1部分:通用技术条件GB/T 6388运输包装收发货标志GB/T 111642011真空镀膜设备通用技术条件GB/T 13306标牌GB/T 13384机电产品包装通用技术条件GB/T 25915.12021洁净室及相关受控环境第1部分：空气洁净度等级GB/T
6、 30116半导体生产设施电磁兼容性要求GB 51401电子工业废气处理工程设计标准CB/T 37641996金属镀层和化学覆盖层厚度系列及质量要求SJ/T 106741995涂料涂覆通用技术条件SJ 209842008化学气相淀积设备通用规范TSG D00012009压力管道安全技术监察规程工业管道TSG 212016固定式压力容器安全技术监察规程SEMI S6半导体制造设备排气通风环境、健康和安全导则（Environmental，Health，and SafetyGuideline for Exhaust Ventilation of Semiconductor Manufacturing Equipment）3术语和定义GB/T 2297 界定的以及下列术语和定义适用于本文件。3.1低压化学气相淀积法low pressure chemical vapor deposition；LPCVD在低于一个大气压的条件下进行的化学气相沉积方法。注：广泛用于氧化硅、氮化物、多晶硅淀积，在高温炉管中实施工艺制备。来源：GB/T 22971989，6.2，有修改3.2隧穿氧化层tunnel ox
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