宇航用静态随机存储器总剂量辐射效应试验方法TCNS 82-2022.pdf

宇航用静态随机存储器总剂量辐射效应试验方法讲解了SRAM（Static Random-Access Memory）在总剂量辐射环境下的试验方法及评估标准，详细规范了设备和程序要求。文件描述了该测试的目的，在于评估宇航用SRAM的抗总剂量效应能力，为设计加固措施提供数据支持和技术指导。文中列出了用于该试验的辐射源要求、测量系统的准确性需求以及测试平台的稳定性条件。特别指出了辐射效应中的术语如电离辐射总剂量效应、时间相关效应、氧化物陷阱电荷等，明确它们对于半导体性能的影响，并介绍移位测试、最恶劣偏置条件和测试图形的作用，以确保器件能够正确表征其在辐射条件下的行为。宇航用静态随机存储器总剂量辐射效应试验方法适用于从事航天电子产品开发、生产的单位以及进行抗辐射测试研究的科研机构。文档针对那些致力于研制具备高水平抗总剂量辐射能力的宇航用SRAM的专业人士提供了具体指南，包括但不限于卫星、运载火箭、深空探测等航天器内的数据处理系统和控制电路设计者。该试验方法还对需要理解SRAM受辐照后性能变化的技术人员有极大帮助，有助于提高产品质量和技术水平，增强我国航空航天领域中关键电子元器件的应用可靠性和安全性。